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增强版7nm和5nm工艺,台积电称客户已经可以用了!

2019-08-28 点击:705

半导体投资联盟2011.7.31我想分享

据AnandTech称,台积电已经悄然推出了性能增强的7nm深紫外(N7/DUV)和5nm极紫外(N5/EUV)制造工艺--N7P和N5P。该公司的N7P和N5P技术专为需要更快运行和更低功耗的客户而设计。

据了解,尽管N7P和N7具有相同的设计规则,但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)工艺,在相同功率下将性能提高了7%,在同一功率下提高了10%频率。消费。

在日本举行的2019年VLSI研讨会上,台积电透露该公司的客户已经获得了新技术,但该公司没有对该技术进行大规模宣传。

据报道,N7P采用经证实的深紫外(DUV)光刻技术。与N7相比,它不会增加晶体管的密度。因此,需要将晶体管密度提高18%至20%的TSMC客户预计将使用N7 +和N6工艺。

对于台积电而言,虽然N7和N6工艺在未来几年将成为“长”节点技术,但台积电的密度,功耗和性能的下一个主要节点将是N5。

同样,台积电还将推出5nm工艺的增强版N5P。 N5P还将针对FEOL和MOL进行优化,以使芯片在相同功率下将性能提升7%,在相同频率下提升15%。 (校对/Jurnan)

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据AnandTech称,台积电已经悄然推出了性能增强的7nm深紫外(N7/DUV)和5nm极紫外(N5/EUV)制造工艺--N7P和N5P。该公司的N7P和N5P技术专为需要更快运行和更低功耗的客户而设计。

据了解,尽管N7P和N7具有相同的设计规则,但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)工艺,在相同功率下将性能提高了7%,在同一功率下提高了10%频率。消费。

在日本举行的2019年VLSI研讨会上,台积电透露该公司的客户已经获得了新技术,但该公司没有对该技术进行大规模宣传。

据报道,N7P采用经证实的深紫外(DUV)光刻技术。与N7相比,它不会增加晶体管的密度。因此,需要将晶体管密度提高18%至20%的TSMC客户预计将使用N7 +和N6工艺。

对于台积电而言,虽然N7和N6工艺在未来几年将成为“长”节点技术,但台积电的密度,功耗和性能的下一个主要节点将是N5。

同样,台积电还将推出5nm工艺的增强版N5P。 N5P还将针对FEOL和MOL进行优化,以使芯片在相同功率下将性能提升7%,在相同频率下提升15%。 (校对/Jurnan)

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